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Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
700
V GS = 15.0 V
1000
*Notes:
175 C
25 C
-55 C
100
10
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
100
10
1. V DS = 20V
2. 250 μ s Pulse Test
o
o
o
2. T C = 25 C
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
o
1
0.01
0.1
V DS ,Drain-Source Voltage[V]
1
1
2
3
4 5 6
V GS ,Gate-Source Voltage[V]
7
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
3.0
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
500
175 C
2.5
V GS = 10V
100
o
25 C
*Note: T C = 25 C
2.0
1.5
V GS = 20V
o
10
o
*Notes:
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
1.0
0
100 200 300
400
1
0.0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
1.4
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
16000
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
10
12000
8000
4000
C iss
C oss
C rss
*Note:
1. V GS = 0V
2. f = 1MHz
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
8
6
4
2
V DS = 15V
V DS = 30V
V DS = 48V
*Note: I D = 75A
0
0.1
1 10
60
0
0
40 80 120 160
200
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q g , Total Gate Charge [nC]
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB024N06 Rev. C2
3
www.fairchildsemi.com
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